Компания IBM объявила о успехе в освоении 32 нм технологического процесса. Вместе с IBM, над этим работали Infineon, ST microelectronics, Chartered semiconductor, Freescale, Samsung и Toshiba.

IBM применяет материалы с высокой диэлектрической постоянной. Такие материалы (High-K) уже использует компания Intel в 45 нм производстве. В новых поколениях микросхем IBM будут использоваться транзисторы с металлическим затвором. Это позволит увеличить уровень производительности на 35%, по сравнению с 45 нм продуктами или снизить потребление энергии на 30 - 50%, в зависимости от рабочего напряжения.

Ячейки памяти на базе 22 нм технологии могут появиться уже в начале 2009 года. Продукты на базе 32 нм технологии будут доступны во второй половине 2009 года, но первые пробные партии могут быть заказаны в конце этого года. TSMC Company намерена начать выпуск 32 нм продукции в четвертом квартале 2009 года.