Walton  сообщила о выпуске новой быстрой DRAM-памяти APOGEE GT DDR-2 1150 и APOGEE GT DDR-2 1200, в наборах по 4 ГБ.
Пропускная способность APOGEE GT DDR-2 1150 составляет 9,6 ГБ/сек, это в 1,5 раз быстрее, чем у стандартных модулей памяти DDR 2-800. Модули памяти охлаждаются радиаторами.

Задержки APOGEE GT DDR-2 1150 и 1200 оптимизированы под двухканальный режим работы и составляют CL 5-5-5-15.
Компания обещает установить доступные цены на новую высокопроизводительную память.